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搜索：沉积
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高纯氮气的消防应急措施
量隔离泄漏源。避免在与火 源碰撞时，在浅层区域沉积可能导致爆炸的气体。用排烟风机将泄漏的废气送入开放空间。更多
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充sf6气体时应注意的事项
充sf6气体时应注意的事项 sf6有必要的设备来生产有毒物质。如果sf6气体含有超过特定量的水分，当湿度变化时，它可以集中在固体绝缘表面，并将表面水分转化为表面。sf6。在电弧和电晕活动过程中，气体沉积产生的低氟结合气体在没有水分子的外部条件下不会产生so2、hf和其他有害物质，从而避免它们引起的设备腐蚀。因此，当sf6供应充满汽油时，应采取严格措施防止水进入。 （1） 工作开始前，应测量该区域周围空气的相对湿度80%（即在相同温度下，空气中的水入口与测 量的水入口的百分比更多
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氦质谱检漏仪半导体设备及材料检漏应用
真空设备越来越多地应用于半导体行业，如真空分离器（蒸发、溅射）、干式喷砂设备、热处理设备（合金炉、退火炉）、掺杂设备（离子注入机等），这些设备将作为半导体技术发展不可或缺的条件发挥越来越重要的作用。 真空设备越来越多地用于半导体行业，如真空沉积设备（蒸发、溅射）、干式喷砂设备（icp、rie、pecvd）、热处理设备（合金炉、退火炉）、掺杂设备（离子注入机等），这将作为半导体技术发展的先决条件发挥越来越重要的作用。氦质谱泄漏检测器今天被广泛用于半导体系统中的泄漏检测。 半导体器件和材料泄漏检测的原因：更多
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含氟蚀刻气体的种类和介绍
目前，氟化蚀刻气体是一种隐形的“刀具”，广泛应用于半导体或lcd前端工艺，甚至可以在微米厚的薄层上切割纳米级凹槽。你能仔细想想这幅画吗？ 那么，氟化蚀刻气体是什么呢？它们是如何工作的？ 用于蚀刻的气体称为蚀刻气体，通常是氟化物气体，如四氟、全氟丁二烯、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。 含氟蚀刻气体是电子气体的一个重要分支，是制造超大集成电路、平面显示器、太阳能电池和玻璃纤维等电子工业不可或缺的原材料。它们被广泛用于半导体工艺，如薄膜、蚀刻、掺杂、气相沉积和扩散。国家发展改革委《产业结构调更多
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电子特种气体是特种气体的一个重要分支
特种电子气体（以下简称特种电子气体）是特种气体的一个重要分支，是集成电路（ic）、平面显示设备（lcd、led、oled）、太阳能电池等电子工业生产不可或缺的原材料。 电子气体广泛应用于电子产品的工艺，如离子注入、蚀刻、气相沉积、掺杂等。电子半导体器件的性能与电子气体的质量密切相关。 产业链上下游 工业气体工业的原料是空气、工业废气、基础化学原料等。其上游产业为气体分离和清洁设备、基础化学原料工业、压力容器设备等。下游领域包括集成电路、液晶面板、led、光纤通信、光伏、医疗健康、节能环保、新材料、更多
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高纯氨气制取的四项关键技术
高纯度氨产品是光电子和微电子技术不可或缺的支撑材料。它广泛应用于半导体照明、平板显示器、太阳能电池和大型集成电路的制造。高纯度氨的质量直接影响材料的光学和电学性能，甚至影响设备的使用寿命。国内外都有巨大的潜在市场。随着国内半导体工业的发展，对高纯度氨的需求快速增长，高纯度电子气体的国产化是必然的发展趋势。 高纯度氨也是通过有机金属化学气相沉积（mocvd）技术生产第三代复合半导体材料氮化镓（gan）的重要支撑材料。mocvd生产氮化镓（gan）要求所用的氨必须是高纯度和超清洁的，纯度为7n（99.99更多
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高纯氮气的消防应急措施
氮气净化方法主要有吸附、变压吸附、膜分离等。在生产中，黑色钢瓶通常用于盛装氮气。 意图 它被用作集成电路、半导体和电真空设备制造中的保护气体和载气，用于化学气相沉积的载气，液体扩散源的载气以及高温扩散炉中设备的保护气体。在外延、光刻、纯化和蒸发过程中，高纯度氮气用作置换、干燥、储存和运输的气体。在生产电影镜头时，氮的纯度必须高于99.99%。在航空航天技术中，液态氢填充系统必须首先由高纯度氮气代替，然后由高纯度氦气代替。 防火措施 迅速将受污染区域内的人员疏散到迎风的现场，将其隔离并严格限制更多
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奇怪的同位素：科学家解释了海底甲烷的同位素悖论
甲烷是一种分子式为ch4的化合物，不仅是一种强烈的温室气体，也是一种重要的能源。它为我们的家供暖，甚至海底的微生物也生活在上面。微生物使用一种叫做甲烷厌氧氧化（aom）的过程，这种过程通常发生在海底的所谓硫酸盐-甲烷过渡区，从海底层开始，海水中的硫酸盐与更深的沉积物中的甲烷相遇。在这里，一种特殊的微生物，厌氧甲烷氧化（anme）古菌，消耗甲烷。它们与利用甲烷氧化过程中释放的电子来还原硫酸盐的细菌生活在一起。为此，这些生物形成了特征性的联系。 这一过程发生在世界各地的海底，因此是碳循环的重要组成部分。然更多
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乙烯、乙炔和丙烯的热解炭的沉积速率
当乙烯、乙炔和丙烯在950°下热解时，热解碳的化学气相沉积速率随气体浓度而变化。如果气体浓度较小，热解碳的沉积速率与乙炔和丙烯的浓度呈平方关系，与乙烯的浓度呈立方关系。随着浓度的增加，热解碳的沉积速率遵循饱和吸附的生长模式。因此，在低浓度条件下，cvd实际上是一个活性位点吸附的饱和吸附生长过程。 随着乙烯和其他气体浓度的不断增加，热解碳的沉积速率线性增加，这是多环芳烃的缩合成核增长。在900°c和1s的气体停留时间下，每个组分中碳元素的分布如图9所示。除未分解的原料气外，大多数碳元素在更多
