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搜索：硅烷
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在高纯硅的制备方法中，热分解法sih4具有广阔的应用前景。该方法的整个过程可分为三个部分：sih4的合成、提纯和热分解。 （1） sih4的合成 桂花镁热分解制备sih4是工业上广泛使用的方法。硅化镁（mg2si）是由硅粉和镁粉在500～550℃的氢气（真空或氩气）中混合而成。反应式如下： 2mg si=mg2si 然后硅化镁和固体氯化铵在液氨介质中反应生成sih4。 mg2si 4nh4cl=sih4↑ 2mgcl2 4nh3↑ 液氨不仅是介质，还
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标准气铝合金钢瓶的特殊处理技术
a.标准气钢瓶的cl- 1 型特殊处理技术 该系列产品的特点是内表面涂覆光洁、憎水、耐蚀及化学惰性的涂层，具有很强的抗腐蚀和保持气体纯度的能力。可用于充装高品级电子气体，如硅烷、乙硼烷、磷烷、砷烷、氯化氢、二氯甲硅烷、三氯化硼及氨等气体，国内首创，达到国际同类产品先进水平。该产品正逐步代替进口特种钢瓶，用于充装国内高品级特种气体和出口用特种气体。 合作方式：提供各种规格的特殊处理气瓶。 b.标准气铝合金钢瓶的cl-2型特殊处理技术 &nbs更多
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硅烷在使用中有哪些容易被大家忽略的安全风险
硅烷的一大应用是非晶半导体非晶硅。与单晶半导体材料相比非晶硅的特点是容易形成极薄的(厚度10nm左右)大面积器件，衬底可以是玻璃、不锈钢、甚至塑料，表面可以是平面也可是曲面，因此可以制成各种性能优异的器件。 如今，硅烷已成为半导体微电子工艺中使用的最主要的特种气体, 用于各种微电子薄膜制备, 包括单晶膜、微晶、多晶、氧化硅、氮化硅、金属硅化物等。硅烷的微电子应用还在向纵深发展: 低温外延、选择外延、异质外延。不仅用于硅器件和硅集成电路，也用于化合物半导体器件(砷化镓、碳化硅等)。在超晶更多
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2019年电子气体、标准气体、高纯气体的发展现状
随着近年来国防工业、科学研究、自动化技术、精密检测，特别是微电子技术的发展，特种气体行业新兴起来。特种气体是工业气体中的一个新兴门类，从应用领域划分，主要有电子气体、高纯气体、标准气体三大类。 近年来，随着下游应用领域的逐步扩展，特种气体的品种也与日俱增，据不完全统计，我国已有的特种气体达260余种。 随着非低温气体分离技术（吸附、膜分离）、混配技术和提纯技术的发展，更多的特种气体产品将逐步走向市场。 电子气体主要分为氢化物（超纯氢、硅烷、磷烷等更多
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蚀刻技术中特种气体的作用
硅片的蚀刻气体（特种气体）主要是氟基气体,包括四氟化碳、四氟化碳/氧气、六氟化硫、六氟乙烷/氧气、三氟化氮等。但由于其各向同性,选择性较差,因此改进后的蚀刻气体通常包括氯基(cl2)和溴基(br2、hbr)气体。反应后的生成物包括四氟化硅、四氯硅烷和sibr4。铝和金属复合层的蚀刻通常采用氯基气体,如ccl4、cl2、bcl3等。产物主要包括alcl3等 蚀刻是采用化学和物理方法,有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的目的是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形。刻蚀分为湿法蚀更多
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高纯硅烷和普通硅烷的品质指标对比
高纯硅烷的品质无统一规定，各个生产单位生产的硅烷品质通常有微小差别。下标是5n、6n级高纯硅烷和普通硅烷品质指标。 从表中可以看出，5n级硅烷除氢气、氦气外，杂质气体氧（氩）、一氧化碳 二氧化碳控制在0.4ppmv，其他杂质气体均在0.2ppmv。6n级硅烷均控制在0.1ppm。普通硅则高了一个数量级，氯化物甚至达到了15ppmv，高了两个数量级。更多
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国内高纯硅烷灌装流程
高纯硅烷灌装前，首先利用高纯氮气、氦气对系统进行高压检漏，真空置换。然后分析气源，气瓶是否合格，待一切准备就绪后，生产储罐输送来的高纯硅烷气经压缩机增压后通过灌装控制面板充入已准备就绪的容器中，完成灌装后，系统自动切断。随后更换下一批容器进行灌装。如果灌装时间间隔较长，灌装完成后，应对系统进行减压、置换，不可使系统中长期存有硅烷。 硅烷灌装示意流程见下图更多
