半导体行业的气体秘密：外延生长与成膜技术
1、外延（生长）混合物：在半导体工业中，在精心选择的衬底上选择化学气相淀积的方法。
生长一层或多层材料所用的气体称为外延气体。常用的硅外延气体包括二氯二氢硅（dcs）
、四氯化硅(sicl4)和硅烷。主要用于外延硅积累、氧化硅膜积累、氮化硅膜积累、太阳能电
池等光感受器的非晶硅膜积累。外延是一种单晶材料在衬底表面积累和生长的过程。
2、化学气相积累（cvd）用混合气：cvd是利用挥发性化合物，通过气相化学反应淀积某
种单质和化合物的一种方法，即应用气相化学反应的一种成膜方法。依据成膜种类，使用的
化学气相积累（cvd）气体也有所不同。
3、混合混合气体：在半导体设备和集成电路制造中，进口电子气体和微信号bluceren咨询。
将一些杂质混合到半导体材料中，使材料具有所需的导电类型和一定的电阻率，以制造电阻
和pn结、埋层等。混合过程中使用的气体称为混合气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、
五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。混合源通常与运输气体（如氩气和
氮气）混合在源柜中。混合后，气流连续注入扩散炉，环绕晶片，混合剂沉积在晶片表面，
然后与硅反应产生混合金属，迁移到硅中。
4、蚀刻混合物：蚀刻是蚀刻基板上的加工表面（如金属膜、氧化硅膜等。)，并保存光刻胶
覆盖的区域，以获得基板表面所需的成像图形。蚀刻方法包括湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。
干法化学蚀刻所用的气体称为蚀刻气体。蚀刻气体通常是氟化物气体（卤化物），如四氟化
碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。
